如果你需要购买磨粉机，而且区分不了雷蒙磨与球磨机的区别，那么下面让我来给你讲解一下： 雷蒙磨和球磨机外形差异较大，雷蒙磨高达威猛，球磨机敦实个头也不小，但是二者的工
随着社会经济的快速发展，矿石磨粉的需求量越来越大，传统的磨粉机已经不能满足生产的需要，为了满足生产需求，黎明重工加紧科研步伐，生产出了全自动智能化环保节能立式磨粉
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2023年9月27日 碳化硅作为第三代宽禁带半导体材料的代表，在禁带宽度、击穿电场、热导率、电子饱和速率、抗辐射能力等关键参数方面具有显著优势，满足了现代工业对 高功率、高电压、高频率 的需求，主要被用于制作高速、高频、大功率及发光电子元器件。 2、SiC作为第三代半导体材料优势明显 SiC作为第三代半导体材料具备诸多显著优势： （1）耐
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2023年4月26日 近 10 年逐渐兴起，具备大带隙、大载流子漂移速率、大热导率和大击穿电场 四大特性，全面突破材料在高频、高压、高温等复杂条件下的应用极限， 适配 5G 通信、新能源汽车、智能物联网等新兴产业，对节能减排、产 业转型升级、催生新的经济增长点将
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2023年2月1日 导电型碳化硅功率器件主要是通过在导电型衬底上生长碳化硅外延层，得到碳化硅外延片后进一步加工制成，品种包括造肖特基二极管、 MOSFET、IGBT等，主要用于电动汽车、光伏发电、轨道交通、数据中心、充电等基础建设。
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2023年9月27日 该产品是一款使用金刚线切割半导体碳化硅晶锭的专用加工设备，可加工晶锭直径兼容6寸、8寸，最大加工长度300mm，对比砂浆切割提升1倍以上产能，出片率较竞品提升5%以上，截至2023年7月，已在行业形成销售。
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2024年4月23日 隐形切割（Stealth Dicing，SD）是通过激光穿透碳化硅表面，聚焦于晶片内部，在所需深度形成改性层，从而实现晶圆的剥离。 这一过程无需在晶圆表面形成切口，因此能够实现较高的加工精度。 目前，采用纳秒脉冲激光的SD工艺已在工业领域应用于硅晶圆的分离。 然而，在纳秒脉冲激光诱导的SD加工碳化硅过程中，由于脉冲持续时间远
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2022年10月9日 公司从 2017 年开始布局碳化硅业务，到 2020 年建立长晶和加工中试线，SiC 晶体直径 也从最初的 4 英寸增大到如今的 8 英寸，进一步缩小国内外技术差距，保障我国 碳化硅产业在关键核心技术上的自主可控。
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2023年1月15日 针对碳化硅单晶衬底加工技术，本文综述了碳化硅单晶切片、薄化与抛光工艺段的研究现状，分析对比了切片、薄化、抛光加工工艺机理，指出了加工过程中的关键影响因素和未来发展趋势。
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2023年2月23日 直击碳化硅衬底材料生长与加工及外延技术前沿进展 近日，在第八届国际第三代半导体论坛（IFWS）第十九届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA）上，“碳化硅衬底材料生长与加工及外延技术“分论坛胜利召开。 主持人：山东大学新一代半导体材料研究
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2022年8月29日 以碳化硅、氮化镓为代表的新一代宽禁带半导体材料,相较于传统的硅基半导体,禁带宽度大,具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等特点,可以在减少能量损失的同时极大地降低材料使用体积。 在高频、高压、高温等工作场景中,第
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2023年10月3日 在由两部分组成的报告的第一部分中，我们对碳化硅 (SiC) 材料系统尖端创新的最新进展进行了详细、系统的回顾，重点关注化学气相沉积 (CVD) 薄膜技术。
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2023年9月27日 碳化硅作为第三代宽禁带半导体材料的代表，在禁带宽度、击穿电场、热导率、电子饱和速率、抗辐射能力等关键参数方面具有显著优势，满足了现代工业对 高功率、高电压、高频率 的需求，主要被用于制作高速、高频、大功率及发光电子元器件。 2、SiC作为第三代半导体材料优势明显 SiC作为第三代半导体材料具备诸多显著优势： （1）耐
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2023年4月26日 近 10 年逐渐兴起，具备大带隙、大载流子漂移速率、大热导率和大击穿电场 四大特性，全面突破材料在高频、高压、高温等复杂条件下的应用极限， 适配 5G 通信、新能源汽车、智能物联网等新兴产业，对节能减排、产 业转型升级、催生新的经济增长点将
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2023年2月1日 导电型碳化硅功率器件主要是通过在导电型衬底上生长碳化硅外延层，得到碳化硅外延片后进一步加工制成，品种包括造肖特基二极管、 MOSFET、IGBT等，主要用于电动汽车、光伏发电、轨道交通、数据中心、充电等基础建设。
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2023年9月27日 该产品是一款使用金刚线切割半导体碳化硅晶锭的专用加工设备，可加工晶锭直径兼容6寸、8寸，最大加工长度300mm，对比砂浆切割提升1倍以上产能，出片率较竞品提升5%以上，截至2023年7月，已在行业形成销售。
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2024年4月23日 隐形切割（Stealth Dicing，SD）是通过激光穿透碳化硅表面，聚焦于晶片内部，在所需深度形成改性层，从而实现晶圆的剥离。 这一过程无需在晶圆表面形成切口，因此能够实现较高的加工精度。 目前，采用纳秒脉冲激光的SD工艺已在工业领域应用于硅晶圆的分离。 然而，在纳秒脉冲激光诱导的SD加工碳化硅过程中，由于脉冲持续时间远
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2022年10月9日 公司从 2017 年开始布局碳化硅业务，到 2020 年建立长晶和加工中试线，SiC 晶体直径 也从最初的 4 英寸增大到如今的 8 英寸，进一步缩小国内外技术差距，保障我国 碳化硅产业在关键核心技术上的自主可控。
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2023年1月15日 针对碳化硅单晶衬底加工技术，本文综述了碳化硅单晶切片、薄化与抛光工艺段的研究现状，分析对比了切片、薄化、抛光加工工艺机理，指出了加工过程中的关键影响因素和未来发展趋势。
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2023年2月23日 直击碳化硅衬底材料生长与加工及外延技术前沿进展 近日，在第八届国际第三代半导体论坛（IFWS）第十九届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA）上，“碳化硅衬底材料生长与加工及外延技术“分论坛胜利召开。 主持人：山东大学新一代半导体材料研究
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2022年8月29日 以碳化硅、氮化镓为代表的新一代宽禁带半导体材料,相较于传统的硅基半导体,禁带宽度大,具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等特点,可以在减少能量损失的同时极大地降低材料使用体积。 在高频、高压、高温等工作场景中,第
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2023年10月3日 在由两部分组成的报告的第一部分中，我们对碳化硅 (SiC) 材料系统尖端创新的最新进展进行了详细、系统的回顾，重点关注化学气相沉积 (CVD) 薄膜技术。
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2023年9月27日 碳化硅作为第三代宽禁带半导体材料的代表，在禁带宽度、击穿电场、热导率、电子饱和速率、抗辐射能力等关键参数方面具有显著优势，满足了现代工业对 高功率、高电压、高频率 的需求，主要被用于制作高速、高频、大功率及发光电子元器件。 2、SiC作为第三代半导体材料优势明显 SiC作为第三代半导体材料具备诸多显著优势： （1）耐
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2023年4月26日 近 10 年逐渐兴起，具备大带隙、大载流子漂移速率、大热导率和大击穿电场 四大特性，全面突破材料在高频、高压、高温等复杂条件下的应用极限， 适配 5G 通信、新能源汽车、智能物联网等新兴产业，对节能减排、产 业转型升级、催生新的经济增长点将
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2023年2月1日 导电型碳化硅功率器件主要是通过在导电型衬底上生长碳化硅外延层，得到碳化硅外延片后进一步加工制成，品种包括造肖特基二极管、 MOSFET、IGBT等，主要用于电动汽车、光伏发电、轨道交通、数据中心、充电等基础建设。
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2023年9月27日 该产品是一款使用金刚线切割半导体碳化硅晶锭的专用加工设备，可加工晶锭直径兼容6寸、8寸，最大加工长度300mm，对比砂浆切割提升1倍以上产能，出片率较竞品提升5%以上，截至2023年7月，已在行业形成销售。
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2024年4月23日 隐形切割（Stealth Dicing，SD）是通过激光穿透碳化硅表面，聚焦于晶片内部，在所需深度形成改性层，从而实现晶圆的剥离。 这一过程无需在晶圆表面形成切口，因此能够实现较高的加工精度。 目前，采用纳秒脉冲激光的SD工艺已在工业领域应用于硅晶圆的分离。 然而，在纳秒脉冲激光诱导的SD加工碳化硅过程中，由于脉冲持续时间远
2022年10月9日 公司从 2017 年开始布局碳化硅业务，到 2020 年建立长晶和加工中试线，SiC 晶体直径 也从最初的 4 英寸增大到如今的 8 英寸，进一步缩小国内外技术差距，保障我国 碳化硅产业在关键核心技术上的自主可控。
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2023年1月15日 针对碳化硅单晶衬底加工技术，本文综述了碳化硅单晶切片、薄化与抛光工艺段的研究现状，分析对比了切片、薄化、抛光加工工艺机理，指出了加工过程中的关键影响因素和未来发展趋势。
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2023年2月23日 直击碳化硅衬底材料生长与加工及外延技术前沿进展 近日，在第八届国际第三代半导体论坛（IFWS）第十九届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA）上，“碳化硅衬底材料生长与加工及外延技术“分论坛胜利召开。 主持人：山东大学新一代半导体材料研究
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2022年8月29日 以碳化硅、氮化镓为代表的新一代宽禁带半导体材料,相较于传统的硅基半导体,禁带宽度大,具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等特点,可以在减少能量损失的同时极大地降低材料使用体积。 在高频、高压、高温等工作场景中,第
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2023年10月3日 在由两部分组成的报告的第一部分中，我们对碳化硅 (SiC) 材料系统尖端创新的最新进展进行了详细、系统的回顾，重点关注化学气相沉积 (CVD) 薄膜技术。
2023年9月27日 碳化硅作为第三代宽禁带半导体材料的代表，在禁带宽度、击穿电场、热导率、电子饱和速率、抗辐射能力等关键参数方面具有显著优势，满足了现代工业对 高功率、高电压、高频率 的需求，主要被用于制作高速、高频、大功率及发光电子元器件。 2、SiC作为第三代半导体材料优势明显 SiC作为第三代半导体材料具备诸多显著优势： （1）耐
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2023年4月26日 近 10 年逐渐兴起，具备大带隙、大载流子漂移速率、大热导率和大击穿电场 四大特性，全面突破材料在高频、高压、高温等复杂条件下的应用极限， 适配 5G 通信、新能源汽车、智能物联网等新兴产业，对节能减排、产 业转型升级、催生新的经济增长点将
2023年2月1日 导电型碳化硅功率器件主要是通过在导电型衬底上生长碳化硅外延层，得到碳化硅外延片后进一步加工制成，品种包括造肖特基二极管、 MOSFET、IGBT等，主要用于电动汽车、光伏发电、轨道交通、数据中心、充电等基础建设。
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2023年9月27日 该产品是一款使用金刚线切割半导体碳化硅晶锭的专用加工设备，可加工晶锭直径兼容6寸、8寸，最大加工长度300mm，对比砂浆切割提升1倍以上产能，出片率较竞品提升5%以上，截至2023年7月，已在行业形成销售。
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2024年4月23日 隐形切割（Stealth Dicing，SD）是通过激光穿透碳化硅表面，聚焦于晶片内部，在所需深度形成改性层，从而实现晶圆的剥离。 这一过程无需在晶圆表面形成切口，因此能够实现较高的加工精度。 目前，采用纳秒脉冲激光的SD工艺已在工业领域应用于硅晶圆的分离。 然而，在纳秒脉冲激光诱导的SD加工碳化硅过程中，由于脉冲持续时间远
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2022年10月9日 公司从 2017 年开始布局碳化硅业务，到 2020 年建立长晶和加工中试线，SiC 晶体直径 也从最初的 4 英寸增大到如今的 8 英寸，进一步缩小国内外技术差距，保障我国 碳化硅产业在关键核心技术上的自主可控。
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2023年1月15日 针对碳化硅单晶衬底加工技术，本文综述了碳化硅单晶切片、薄化与抛光工艺段的研究现状，分析对比了切片、薄化、抛光加工工艺机理，指出了加工过程中的关键影响因素和未来发展趋势。
2023年2月23日 直击碳化硅衬底材料生长与加工及外延技术前沿进展 近日，在第八届国际第三代半导体论坛（IFWS）第十九届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA）上，“碳化硅衬底材料生长与加工及外延技术“分论坛胜利召开。 主持人：山东大学新一代半导体材料研究
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2022年8月29日 以碳化硅、氮化镓为代表的新一代宽禁带半导体材料,相较于传统的硅基半导体,禁带宽度大,具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等特点,可以在减少能量损失的同时极大地降低材料使用体积。 在高频、高压、高温等工作场景中,第
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2023年10月3日 在由两部分组成的报告的第一部分中，我们对碳化硅 (SiC) 材料系统尖端创新的最新进展进行了详细、系统的回顾，重点关注化学气相沉积 (CVD) 薄膜技术。
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2023年2月1日 导电型碳化硅功率器件主要是通过在导电型衬底上生长碳化硅外延层，得到碳化硅外延片后进一步加工制成，品种包括造肖特基二极管、 MOSFET、IGBT等，主要用于电动汽车、光伏发电、轨道交通、数据中心、充电等基础建设。
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2023年9月27日 该产品是一款使用金刚线切割半导体碳化硅晶锭的专用加工设备，可加工晶锭直径兼容6寸、8寸，最大加工长度300mm，对比砂浆切割提升1倍以上产能，出片率较竞品提升5%以上，截至2023年7月，已在行业形成销售。
2024年4月23日 隐形切割（Stealth Dicing，SD）是通过激光穿透碳化硅表面，聚焦于晶片内部，在所需深度形成改性层，从而实现晶圆的剥离。 这一过程无需在晶圆表面形成切口，因此能够实现较高的加工精度。 目前，采用纳秒脉冲激光的SD工艺已在工业领域应用于硅晶圆的分离。 然而，在纳秒脉冲激光诱导的SD加工碳化硅过程中，由于脉冲持续时间远
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2022年10月9日 公司从 2017 年开始布局碳化硅业务，到 2020 年建立长晶和加工中试线，SiC 晶体直径 也从最初的 4 英寸增大到如今的 8 英寸，进一步缩小国内外技术差距，保障我国 碳化硅产业在关键核心技术上的自主可控。
2023年1月15日 针对碳化硅单晶衬底加工技术，本文综述了碳化硅单晶切片、薄化与抛光工艺段的研究现状，分析对比了切片、薄化、抛光加工工艺机理，指出了加工过程中的关键影响因素和未来发展趋势。
2023年2月23日 直击碳化硅衬底材料生长与加工及外延技术前沿进展 近日，在第八届国际第三代半导体论坛（IFWS）第十九届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA）上，“碳化硅衬底材料生长与加工及外延技术“分论坛胜利召开。 主持人：山东大学新一代半导体材料研究
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2022年8月29日 以碳化硅、氮化镓为代表的新一代宽禁带半导体材料,相较于传统的硅基半导体,禁带宽度大,具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等特点,可以在减少能量损失的同时极大地降低材料使用体积。 在高频、高压、高温等工作场景中,第
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2023年10月3日 在由两部分组成的报告的第一部分中，我们对碳化硅 (SiC) 材料系统尖端创新的最新进展进行了详细、系统的回顾，重点关注化学气相沉积 (CVD) 薄膜技术。
