碳化硅工程陶瓷生产线及配套设施
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全自动智能化环保节能立式磨粉机已经新鲜出炉啦!

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碳化硅工程陶瓷生产线及配套设施

  • 国内首条碳化硅全产业链生产线在长沙建成

    2021年6月24日  项目总建筑面积222万平方米,主要包含碳化硅长晶、衬底、外延、芯片、器件封装等厂房及相关配套设施建设。 项目全面建成投产后将形成两条并行的碳化硅研发、生产全产业链产线,产品为高质量、低成本、高稳定性碳化硅衬底及各类器件,可广泛用于新能源汽车、高铁机车、航空航天和无线(5G)通讯等,预计可实现年产值120亿元,并

  • 【中国化工报】碳化硅陶瓷膜技术实现产业化:首条2万平方米

    2019年1月30日  据碳化硅陶瓷膜团队首席教授、湖北省环境材料与膜技术工程技术研究中心主任徐慢介绍,用碳化硅材料制备的碳化硅陶瓷膜具有强度高、热震稳定性好、通量大、运行成本低、使用寿命长等综合优势,是面向未来的新一代陶瓷膜材料。

  • 国内外碳化硅陶瓷材料研究与应用进展 CERADIR 先进陶瓷在线

    2022年4月24日  摘要: 碳化硅陶瓷材料具有良好的耐磨性、导热性、抗氧化性及优异的高温力学性能,被广泛应用于能源环保、化工机械、半导体、国防军工等领域。 然而,由于碳化硅为强共价键化合物,且具有低的扩散系数,导致其在制备过程中的主要问题之一是烧结致密化困难。 因此,大量研究工作通过烧结技术的研究与烧结助剂的选择和优化等手段促进

  • 全球第三条碳化硅全产业链生产线在长沙建成-国务院国有

    2021年6月29日  项目总建筑面积222万平方米,主要包含碳化硅长晶、衬底、外延、芯片、器件封装等厂房及相关配套设施建设。 项目全面建成投产后,将形成两条并行的碳化硅研发、生产全产业链产线,产品为高质量、低成本、高稳定性碳化硅衬底及各类器件,可广泛用于新能源汽车、高铁机车、航空航天和无线(5G)通讯等,预计可实现年产值120亿元,

  • 碳化硅陶瓷:集成电路制造装备用关键材料——访中国建筑

    2022年8月18日  刘海林所长主要从事碳化硅陶瓷及其复合材料的研发,在大尺寸、复杂形状碳化硅净尺寸成型技术、铝基碳化硅材料、SiC陶瓷基复合材料、高纯CVD SiC膜及体材料、特种陶瓷3D打印成型技术等领域开展了深入系统的研究,研发的新材料、新产品成功应用于

  • 连续碳化硅纤维增强碳化硅陶瓷基复合材料在先进核能领域的

    2024年5月17日  本文选取具有代表性的连续碳化硅纤维增强碳化硅(SiC f /SiC)陶瓷基复合材料体系,系统梳理面向先进核能系统应用的SiC f /SiC复合材料基础研究的整体脉络和框架,总结国内外发展现状,分析我国核用SiC f /SiC复合材料发展存在的问题,针对性提出相

  • 潍坊市坊子区:为经济高质量发展保驾护航 新华网山东频道

    2024年7月3日  山东三责半导体新材料有限公司专门从事新材料技术研发,设备广泛应用于化工和制药、环保工程等行业领域。 据公司负责人闫永杰介绍,项目预计12月份之前完善生产辅助机构、办公、生活设施配套,可形成年产4000吨半导体用碳化硅陶瓷的生产能力。

  • 国内首条碳化硅研发、生产全产业链生产线厂房全面封顶

    2021年2月23日  近日,中国建筑旗下中建五局承建的湖南三安半导体项目最大单体M2B芯片厂房封顶,标志着国内首条碳化硅研发、生产全产业链生产线厂房全面封顶,预计年中实现全面投产。 据了解,该项目总投资160亿元,分两期建设,当前项目一期由中建五局负责施工建设,主要包含碳化硅长晶、衬底、外延、芯片、器件封装等厂房及相关配套设施建设。

  • 反应烧结制备碳化硅陶瓷及其性能研究

    2021年4月28日  摘要: 以全细粉碳化硅 ( d50 =36 μm、 w (SiC)≥98%)为主要原料,加入炭黑、石墨、减水剂和分散介质等混合均匀后注浆成型,80 ℃烘干并于1 720 ℃反应烧结制备全细粉碳化硅陶瓷材料。 考察了搅拌时间1~5 h、炭黑加入质量分数562%~693%对素坯性能的影响,并对素坯及

  • 高通量水处理碳化硅陶瓷膜技术转移南南合作 USTB

    2022年9月18日  采用低温碳热还原液相烧结技术制备一种碳化硅材质的陶瓷膜材料,主要用于污水处理及资源化和饮用水深度净化等领域。 技术特点:提供一种烧结温度低、生产能耗低、工艺方法简单、设备要求低、生产成本和投资成本低、控制灵活、成型容易、适合

  • 国内首条碳化硅全产业链生产线在长沙建成

    2021年6月24日  项目总建筑面积222万平方米,主要包含碳化硅长晶、衬底、外延、芯片、器件封装等厂房及相关配套设施建设。 项目全面建成投产后将形成两条并行的碳化硅研发、生产全产业链产线,产品为高质量、低成本、高稳定性碳化硅衬底及各类器件,可广泛用于新能源汽车、高铁机车、航空航天和无线(5G)通讯等,预计可实现年产值120亿元,并

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    2022年4月24日  摘要: 碳化硅陶瓷材料具有良好的耐磨性、导热性、抗氧化性及优异的高温力学性能,被广泛应用于能源环保、化工机械、半导体、国防军工等领域。 然而,由于碳化硅为强共价键化合物,且具有低的扩散系数,导致其在制备过程中的主要问题之一是烧结致密化困难。 因此,大量研究工作通过烧结技术的研究与烧结助剂的选择和优化等手段促进

  • 全球第三条碳化硅全产业链生产线在长沙建成-国务院国有

    2021年6月29日  项目总建筑面积222万平方米,主要包含碳化硅长晶、衬底、外延、芯片、器件封装等厂房及相关配套设施建设。 项目全面建成投产后,将形成两条并行的碳化硅研发、生产全产业链产线,产品为高质量、低成本、高稳定性碳化硅衬底及各类器件,可广泛用于新能源汽车、高铁机车、航空航天和无线(5G)通讯等,预计可实现年产值120亿元,

  • 碳化硅陶瓷:集成电路制造装备用关键材料——访中国建筑

    2022年8月18日  刘海林所长主要从事碳化硅陶瓷及其复合材料的研发,在大尺寸、复杂形状碳化硅净尺寸成型技术、铝基碳化硅材料、SiC陶瓷基复合材料、高纯CVD SiC膜及体材料、特种陶瓷3D打印成型技术等领域开展了深入系统的研究,研发的新材料、新产品成功应用于

  • 连续碳化硅纤维增强碳化硅陶瓷基复合材料在先进核能领域的

    2024年5月17日  本文选取具有代表性的连续碳化硅纤维增强碳化硅(SiC f /SiC)陶瓷基复合材料体系,系统梳理面向先进核能系统应用的SiC f /SiC复合材料基础研究的整体脉络和框架,总结国内外发展现状,分析我国核用SiC f /SiC复合材料发展存在的问题,针对性提出相

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    2021年2月23日  近日,中国建筑旗下中建五局承建的湖南三安半导体项目最大单体M2B芯片厂房封顶,标志着国内首条碳化硅研发、生产全产业链生产线厂房全面封顶,预计年中实现全面投产。 据了解,该项目总投资160亿元,分两期建设,当前项目一期由中建五局负责施工建设,主要包含碳化硅长晶、衬底、外延、芯片、器件封装等厂房及相关配套设施建设。

  • 反应烧结制备碳化硅陶瓷及其性能研究

    2021年4月28日  摘要: 以全细粉碳化硅 ( d50 =36 μm、 w (SiC)≥98%)为主要原料,加入炭黑、石墨、减水剂和分散介质等混合均匀后注浆成型,80 ℃烘干并于1 720 ℃反应烧结制备全细粉碳化硅陶瓷材料。 考察了搅拌时间1~5 h、炭黑加入质量分数562%~693%对素坯性能的影响,并对素坯及

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    2022年9月18日  采用低温碳热还原液相烧结技术制备一种碳化硅材质的陶瓷膜材料,主要用于污水处理及资源化和饮用水深度净化等领域。 技术特点:提供一种烧结温度低、生产能耗低、工艺方法简单、设备要求低、生产成本和投资成本低、控制灵活、成型容易、适合

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    2019年1月30日  据碳化硅陶瓷膜团队首席教授、湖北省环境材料与膜技术工程技术研究中心主任徐慢介绍,用碳化硅材料制备的碳化硅陶瓷膜具有强度高、热震稳定性好、通量大、运行成本低、使用寿命长等综合优势,是面向未来的新一代陶瓷膜材料。

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    2022年4月24日  摘要: 碳化硅陶瓷材料具有良好的耐磨性、导热性、抗氧化性及优异的高温力学性能,被广泛应用于能源环保、化工机械、半导体、国防军工等领域。 然而,由于碳化硅为强共价键化合物,且具有低的扩散系数,导致其在制备过程中的主要问题之一是烧结致密化困难。 因此,大量研究工作通过烧结技术的研究与烧结助剂的选择和优化等手段促进

  • 全球第三条碳化硅全产业链生产线在长沙建成-国务院国有

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    2022年8月18日  刘海林所长主要从事碳化硅陶瓷及其复合材料的研发,在大尺寸、复杂形状碳化硅净尺寸成型技术、铝基碳化硅材料、SiC陶瓷基复合材料、高纯CVD SiC膜及体材料、特种陶瓷3D打印成型技术等领域开展了深入系统的研究,研发的新材料、新产品成功应用于

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    2022年4月24日  摘要: 碳化硅陶瓷材料具有良好的耐磨性、导热性、抗氧化性及优异的高温力学性能,被广泛应用于能源环保、化工机械、半导体、国防军工等领域。 然而,由于碳化硅为强共价键化合物,且具有低的扩散系数,导致其在制备过程中的主要问题之一是烧结致密化困难。 因此,大量研究工作通过烧结技术的研究与烧结助剂的选择和优化等手段促进

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    2021年6月29日  项目总建筑面积222万平方米,主要包含碳化硅长晶、衬底、外延、芯片、器件封装等厂房及相关配套设施建设。 项目全面建成投产后,将形成两条并行的碳化硅研发、生产全产业链产线,产品为高质量、低成本、高稳定性碳化硅衬底及各类器件,可广泛用于新能源汽车、高铁机车、航空航天和无线(5G)通讯等,预计可实现年产值120亿元,

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    2022年8月18日  刘海林所长主要从事碳化硅陶瓷及其复合材料的研发,在大尺寸、复杂形状碳化硅净尺寸成型技术、铝基碳化硅材料、SiC陶瓷基复合材料、高纯CVD SiC膜及体材料、特种陶瓷3D打印成型技术等领域开展了深入系统的研究,研发的新材料、新产品成功应用于

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    2024年5月17日  本文选取具有代表性的连续碳化硅纤维增强碳化硅(SiC f /SiC)陶瓷基复合材料体系,系统梳理面向先进核能系统应用的SiC f /SiC复合材料基础研究的整体脉络和框架,总结国内外发展现状,分析我国核用SiC f /SiC复合材料发展存在的问题,针对性提出相

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    2021年2月23日  近日,中国建筑旗下中建五局承建的湖南三安半导体项目最大单体M2B芯片厂房封顶,标志着国内首条碳化硅研发、生产全产业链生产线厂房全面封顶,预计年中实现全面投产。 据了解,该项目总投资160亿元,分两期建设,当前项目一期由中建五局负责施工建设,主要包含碳化硅长晶、衬底、外延、芯片、器件封装等厂房及相关配套设施建设。

  • 反应烧结制备碳化硅陶瓷及其性能研究

    2021年4月28日  摘要: 以全细粉碳化硅 ( d50 =36 μm、 w (SiC)≥98%)为主要原料,加入炭黑、石墨、减水剂和分散介质等混合均匀后注浆成型,80 ℃烘干并于1 720 ℃反应烧结制备全细粉碳化硅陶瓷材料。 考察了搅拌时间1~5 h、炭黑加入质量分数562%~693%对素坯性能的影响,并对素坯及

  • 高通量水处理碳化硅陶瓷膜技术转移南南合作 USTB

    2022年9月18日  采用低温碳热还原液相烧结技术制备一种碳化硅材质的陶瓷膜材料,主要用于污水处理及资源化和饮用水深度净化等领域。 技术特点:提供一种烧结温度低、生产能耗低、工艺方法简单、设备要求低、生产成本和投资成本低、控制灵活、成型容易、适合

  • 国内首条碳化硅全产业链生产线在长沙建成

    2021年6月24日  项目总建筑面积222万平方米,主要包含碳化硅长晶、衬底、外延、芯片、器件封装等厂房及相关配套设施建设。 项目全面建成投产后将形成两条并行的碳化硅研发、生产全产业链产线,产品为高质量、低成本、高稳定性碳化硅衬底及各类器件,可广泛用于新能源汽车、高铁机车、航空航天和无线(5G)通讯等,预计可实现年产值120亿元,并

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    2019年1月30日  据碳化硅陶瓷膜团队首席教授、湖北省环境材料与膜技术工程技术研究中心主任徐慢介绍,用碳化硅材料制备的碳化硅陶瓷膜具有强度高、热震稳定性好、通量大、运行成本低、使用寿命长等综合优势,是面向未来的新一代陶瓷膜材料。

  • 国内外碳化硅陶瓷材料研究与应用进展 CERADIR 先进陶瓷在线

    2022年4月24日  摘要: 碳化硅陶瓷材料具有良好的耐磨性、导热性、抗氧化性及优异的高温力学性能,被广泛应用于能源环保、化工机械、半导体、国防军工等领域。 然而,由于碳化硅为强共价键化合物,且具有低的扩散系数,导致其在制备过程中的主要问题之一是烧结致密化困难。 因此,大量研究工作通过烧结技术的研究与烧结助剂的选择和优化等手段促进

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    2021年6月29日  项目总建筑面积222万平方米,主要包含碳化硅长晶、衬底、外延、芯片、器件封装等厂房及相关配套设施建设。 项目全面建成投产后,将形成两条并行的碳化硅研发、生产全产业链产线,产品为高质量、低成本、高稳定性碳化硅衬底及各类器件,可广泛用于新能源汽车、高铁机车、航空航天和无线(5G)通讯等,预计可实现年产值120亿元,

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    2022年8月18日  刘海林所长主要从事碳化硅陶瓷及其复合材料的研发,在大尺寸、复杂形状碳化硅净尺寸成型技术、铝基碳化硅材料、SiC陶瓷基复合材料、高纯CVD SiC膜及体材料、特种陶瓷3D打印成型技术等领域开展了深入系统的研究,研发的新材料、新产品成功应用于

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    2024年5月17日  本文选取具有代表性的连续碳化硅纤维增强碳化硅(SiC f /SiC)陶瓷基复合材料体系,系统梳理面向先进核能系统应用的SiC f /SiC复合材料基础研究的整体脉络和框架,总结国内外发展现状,分析我国核用SiC f /SiC复合材料发展存在的问题,针对性提出相

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    2021年2月23日  近日,中国建筑旗下中建五局承建的湖南三安半导体项目最大单体M2B芯片厂房封顶,标志着国内首条碳化硅研发、生产全产业链生产线厂房全面封顶,预计年中实现全面投产。 据了解,该项目总投资160亿元,分两期建设,当前项目一期由中建五局负责施工建设,主要包含碳化硅长晶、衬底、外延、芯片、器件封装等厂房及相关配套设施建设。

  • 反应烧结制备碳化硅陶瓷及其性能研究

    2021年4月28日  摘要: 以全细粉碳化硅 ( d50 =36 μm、 w (SiC)≥98%)为主要原料,加入炭黑、石墨、减水剂和分散介质等混合均匀后注浆成型,80 ℃烘干并于1 720 ℃反应烧结制备全细粉碳化硅陶瓷材料。 考察了搅拌时间1~5 h、炭黑加入质量分数562%~693%对素坯性能的影响,并对素坯及

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